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        半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)產(chǎn)品原理與結(jié)構(gòu)分享

        更新時(shí)間:2025-06-23      點(diǎn)擊次數(shù):54
          半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)是利用等離子體技術(shù)去除半導(dǎo)體制造過程中光刻膠的專用設(shè)備。其核心原理是通過等離子體中的高能粒子與光刻膠發(fā)生物理或化學(xué)作用,實(shí)現(xiàn)高效、精準(zhǔn)的膠層去除。
          一、半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)產(chǎn)品原理:
          1.等離子體生成機(jī)制
          氣體輝光放電:
          在真空腔體內(nèi)通入工藝氣體,通過高頻電場(chǎng)(RF射頻或微波)激發(fā)氣體電離,形成等離子體。
          等離子體組成:包含高能電子、離子、自由基、紫外光子和中性分子。
          2.去膠機(jī)理
          物理作用:
          高能粒子(如離子)轟擊光刻膠表面,通過物理濺射破壞膠分子結(jié)構(gòu),適用于厚膠層或硬質(zhì)光刻膠。
          化學(xué)作用:
          自由基或活性離子與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng),分解膠分子為揮發(fā)性物質(zhì),適用于高精度圖形或復(fù)雜材料。
          3.選擇性去除
          通過調(diào)節(jié)氣體種類、功率、處理時(shí)間及腔體壓力,實(shí)現(xiàn)對(duì)不同光刻膠(正膠/負(fù)膠)或底層材料(如硅、金屬)的選擇性去除,避免損傷襯底。
          二、半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu):
          1.核心組件
          真空腔體:
          不銹鋼或鋁合金材質(zhì),用于維持反應(yīng)環(huán)境;
          配備觀察窗(石英或耐蝕玻璃)以便實(shí)時(shí)監(jiān)控。
          氣體分配系統(tǒng):
          質(zhì)量流量控制器(MFC):精確調(diào)節(jié)工藝氣體流量;
          進(jìn)氣口與排氣口:確保氣體均勻分布并快速排出反應(yīng)產(chǎn)物。
          射頻(RF)電源:
          提供高頻電場(chǎng),激發(fā)氣體產(chǎn)生等離子體;
          功率可調(diào),控制等離子體密度和能量。
          電極結(jié)構(gòu):
          電容耦合式(CCP):上下電極板間形成電場(chǎng),適合大面積均勻處理;
          感應(yīng)耦合式(ICP):螺旋線圈產(chǎn)生高密度等離子體,用于復(fù)雜圖形或深孔結(jié)構(gòu)。
          樣品臺(tái):
          靜電吸附或機(jī)械固定晶圓;
          可旋轉(zhuǎn)或傾斜,確保等離子體均勻覆蓋。
          2.輔助系統(tǒng)
          真空系統(tǒng):
          機(jī)械泵+分子泵組,實(shí)現(xiàn)腔體真空度≤10Pa;
          壓力傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)控并反饋控制。
          冷卻系統(tǒng):
          水冷電極和腔體,防止高溫?fù)p傷設(shè)備或樣品;
          部分機(jī)型配備樣品冷卻臺(tái),避免過熱導(dǎo)致襯底損傷。
          控制系統(tǒng):
          觸摸屏或PC端界面,設(shè)置參數(shù)(氣體流量、功率、時(shí)間、壓力);
          數(shù)據(jù)記錄與追溯功能,支持Recipe配方存儲(chǔ)。
          3.安全與環(huán)保設(shè)計(jì)
          防護(hù)措施:
          緊急停機(jī)按鈕、過載保護(hù)、氣體泄漏報(bào)警;
          腔體啟閉聯(lián)鎖,防止誤操作。
          廢氣處理:
          集成噴淋塔或活性炭過濾裝置,處理反應(yīng)產(chǎn)生的腐蝕性氣體。
         

         

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